退火对真空蒸发Ti3O5制备光学薄膜性能的影响

胡小锋; 薛亦渝; 郭爱云

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退火对真空蒸发Ti3O5制备光学薄膜性能的影响

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采用真空蒸发法,以Ti3O5为膜料分别在基片温度为200℃、250℃、300℃的条件下制备氧化钛光学薄膜,XRD结果显示,沉积态薄膜为无定形态,400℃退火后,均由无定形态向锐铁矿结构转变;不同基片温度下制备的氧化钛薄膜退火后,折射率均随基片温度的升高而增大;随着退火温度的升高,(101)晶相择优取向十分明显,结晶度增大;经过400℃、500℃、600℃退火后,薄膜折射率逐渐上升.

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来源
《光学仪器》 |2006年第2期|80-83|共4页
作者
胡小锋; 薛亦渝; 郭爱云;
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作者单位

武汉理工大学,湖北,武汉,430070;

武汉理工大学,湖北,武汉,430070;

武汉理工大学,湖北,武汉,430070;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
Ti3O5; 光学薄膜; 退火;

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