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HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究

         

摘要

在HgCdTe光伏探测器件SiO2+ZnS复合介质膜钝化中,引入O+2清洗和Ar+刻蚀两种等离子体处理工艺,大大提高薄膜附着力,成功制备出优良的光伏器件.对处理前后的样品进行场发射扫描电子显微镜扫描、原子力显微镜扫描和二次离子质谱测试后发现,O+2清洗对去除样品表面的残余光刻胶效果显著;而Ar+刻蚀使ZnS表面更为粗糙,增加了成核中心,使SiO2和ZnS表面互相渗透,增强了两层介质膜的附着力.

著录项

  • 来源
    《光学仪器》 |2006年第4期|56-59|共4页
  • 作者单位

    中国科学院上海技术物理研究所,传感技术联合国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,传感技术联合国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,传感技术联合国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,传感技术联合国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,传感技术联合国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,传感技术联合国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,传感技术联合国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所,传感技术联合国家重点实验室,上海,200083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 化合物半导体;
  • 关键词

    O+2清洗; Ar+刻蚀; 钝化; HgCdTe光伏探测器;

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