工艺参数和沉积方法对ZnS/YbF3薄膜缺陷的影响

凌秀兰; 黄伟

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工艺参数和沉积方法对ZnS/YbF3薄膜缺陷的影响

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研究了不同沉积方式和工艺参数对沉积在K9基底上的单层ZnS、YbF3薄膜和多层ZnS/YbF3薄膜缺陷的影响,发现基底温度和蒸发速率等工艺参数对缺陷的产生有较大的影响,太高或太低的基底温度和蒸发速率都会导致缺陷增加,采用电子束蒸发和蒸发源形状不同的阻蒸蒸发方式,缺陷密度分布有较大的差异.通过比较不同蒸发方式和工艺参数所镀薄膜的缺陷密度,找到了现有工艺条件下缺陷密度最小的最佳蒸发方式和工艺参数.

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来源
《光学仪器》 |2006年第5期|71-74|共4页
作者
凌秀兰; 黄伟;
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作者单位

中北大学信息工程系,山西,太原,030051;

中科院光电技术研究所,四川,成都,610209;

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正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
薄膜; 缺陷; 基底温度; 蒸发速率;

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