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超辐射发光管端面AR膜的设计与制备

         

摘要

在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03% 的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB的超辐射发光管.

著录项

  • 来源
    《光学仪器》 |2004年第2期|51-54|共4页
  • 作者单位

    武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074;

    武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074;

    武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074;

    武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074;

    武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074;

    武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074;

    武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074;

    武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074;

    武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 薄膜的性质;
  • 关键词

    宽带增透膜; 超辐射发光管; 极低剩余反射率; 放大自发辐射;

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