VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

李军显; 李毅; 周建忠; 田蓉; 刘进

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VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

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采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO2/p-GaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性.结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级.VO2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性.

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来源
《光学仪器》 |2021年第2期|48-54|共7页
作者
李军显; 李毅; 周建忠; 田蓉; 刘进;
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作者单位

上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海 200093;

上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海 200093;

上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室上海 200093;

上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海 200093;

上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海 200093;

上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海 200093;

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正文语种 chi
中图分类 TN301.1;
关键词
VO2; GaAs; 半导体-金属相变; 异质结; 整流特性;

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