法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-12
授权
授权
2019-05-31
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/072 申请日:20181130
实质审查的生效
2019-05-07
公开
公开
机译: /异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译: AlGaAs或InGaP低导通电压GaAs基异质结双极晶体管
机译: AlGaAs或InGaP低导通电压GaAs基异质结双极晶体管