硅片键合套刻偏差测量技术

李运锋; 蓝科

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硅片键合套刻偏差是影响三维垂向互连封装工艺的重要指标之一.利用红外光可以高效穿透硅基半导体材料的特性,设计了测量键合套刻偏差的红外检测系统.通过测试光源和相机得到的噪声大小和分布作为仿真误差来源;通过MATLAB对不同尺寸、不同类型的套刻标记成像仿真,得到的测量重复性随采样点增多而减小,并在150个采样点时套刻测量重复性趋于稳定的规律;通过仿真检测系统不同数值孔径和套刻标记线宽,得到了测量重复性随对比度增加而减小的特征.根据仿真结果设计了红外检测系统和套刻标记,测试结果接近仿真数据,得到了10 nm以下的测量重复性,证明了利用红外技术高精度检测硅片键合套刻偏差的可行性.

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来源
《光学仪器》 |2021年第5期|7-15|共9页
作者
李运锋; 蓝科;
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作者单位

上海微电子装备(集团)股份有限公司上海 201203;

上海微电子装备(集团)股份有限公司上海 201203;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光电子技术的应用;
关键词
硅片键合套刻偏差; 红外技术; 套刻标记; 套刻偏差; 测量重复性;

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