基片温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响

黄红梁; 程树英; 黄碧华

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基片温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响

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采用电子束蒸发在不同基片温度下沉积ZnS薄膜,研究了基片温度对薄膜性能的影响。结果表明:不同基片温度下沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,为体心立方(闪锌矿)结构的β-ZnS,并具有明显的(111)面择优取向,导电类型为n型。随着成膜时基片温度的提高,薄膜结晶度越来越好,透过率增大,载流子浓度增大,而电阻率减小。

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来源
《光电子．激光》 |2009年第3期|355-358|共4页
作者
黄红梁; 程树英; 黄碧华;
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作者单位

福州大学物理与信息工程学院;

福建福州350108;

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正文语种 chi
中图分类 O484.41;
关键词
ZnS薄膜; 性能; 电子束蒸发; 基片温度;

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