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李博研; 刘芳芳; 孙云; 林列;
南开大学现代光学研究所;
光信息科学技术教育部重点实验室;
天津300071;
天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室;
Cu(In; Ga)Sez(cIGs); 多横向界面Mo薄膜(M-Mo); 单横向界面Mo薄膜(S-Mo); Fe; 扩散;
机译:接触金属-MoS2界面反应及其对基于MoS2的器件性能的潜在影响
机译:以氧化f为栅介电层的界面硅酸盐层的材料特性及其对MOS器件电学特性的影响
机译:铜掺杂二氧化钛界面层对硅基MOS器件界面态和电学性能的影响
机译:Mo / CIGS界面处MoSe2层的形成及其对CIGS器件性能的影响
机译:具有硅界面钝化层的III-V MOS器件的电学特性研究。
机译:InGaAs上Al2O3原子层沉积的初始过程:界面形成机理及其对金属-绝缘体-半导体器件性能的影响
机译:Cu(In,Ga)Se2吸收剂减薄和均匀界面模型:Mo背接触和三阶段工艺对器件特性的影响
机译:I-ZnO窗口层对无镉CIGs基太阳能电池器件性能影响的研究:预印
机译:具有增强的RF特性的横向RF MOS器件的制造方法
机译:具有增强的RF特性的横向RF MOS器件的制造
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