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SiC/SiO2界面中C杂质对MOS器件性能的影响

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为了研究SiC/SiO2界面中C杂质对MOS器件性能的影响，根据C杂质的组成形式从理论上估算了其产生界面态密度的大小，并通过界面态密度来确定其对MOS场效应迁移率、跨导及阈值电压的影响。文章还介绍了界面C杂质的形成的原因、存在方式及其在界面的分布情况，并根据非晶炭sp2电子态密度估算了C杂质产生的界面态密度。

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来源
《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》|2011年|159-163|共5页
会议地点三亚
作者
牟维兵;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;
关键词
半导体材料; 碳杂质; MOS器件; 电性能;

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