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European conference on silicon carbide and related materials
European conference on silicon carbide and related materials
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1.
PREFACE
机译:
前言
作者:
Alexander A. Lebedev
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
2.
Multi-wire Electrical Discharge Slicing for Silicon Carbide
机译:
用于碳化硅的多线电气放电切片
作者:
Atsushi ltokazu
;
Takashi Hashimoto
;
Kazuhiko Fukushima
;
Takashi Yuzawa
;
Tatsushi Sato
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Multi-wire Electrical Discharge Slicing;
SiC Ingot Slicing;
3.
Impact of substrate steps and of monolayer-bilayer junctions on the electronic transport in epitaxial graphene on 4H-SiC (0001)
机译:
衬底步骤和单层双层结的影响在4H-SiC(0001)上的外延石墨烯中的电子输送
作者:
F. Giannazzo
;
I. Deretzis
;
A. La Magna
;
S. Di Franco
;
N. Piluso
;
P. Fiorenza
;
F. Roccaforte
;
P. Schmid
;
W. Lerch
;
R. Yakimova
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
graphene;
SiC;
electronic transport;
4.
Design and characterization of a novel dual-gate 3.3 kV 4H-SiC JFET
机译:
新型双门3.3 kV 4H-SIC JFET的设计与表征
作者:
F. Chevalier
;
P. Brosselard
;
D. Tournier
;
G. Grossed
;
L. Dupuy
;
D. Planson
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Junction Field Effect Transistor;
high voltage device;
dual gate JFET;
lateral channel;
vertical channel;
5.
Subnanosecond Semiconductor Opening Switch Based on 4H-SiC Junction Diode
机译:
基于4H-SiC结二极管的亚倍半导体半导体开关
作者:
Pavel A. lvanov
;
Igor V. Grekhov
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Semiconductor Opening Switch;
subnanosecond operation;
4H-SiC junction diode;
6.
Exploring SiC growth limitation of vapor-liquid-solid mechanism when using two different carbon precursors
机译:
两种不同碳前体时探索汽液固体机制的SIC生长限制
作者:
K.AIassaad
;
F. Cauwet
;
D. Carole
;
V. Souliere
;
G. Ferro
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
VLS;
methane;
propane;
growth rate;
liquid phase;
7.
Improvement of interface state and channel mobility using 4H-SiC (0-33-8) face
机译:
使用4H-SIC(0-33-8)面的接口状态和信道移动性的改进
作者:
Tom Hiyoshi
;
Takeyoshi Masuda
;
Keiji Wada
;
Shin Harada
;
Yasuo Namikawa
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
(0-33-8);
MOS;
channel mobility;
threshold voltage;
8.
Surface preparation of 4° off-axis 4H-SiC substrate for epitaxial growth
机译:
用于外延生长的4°偏离轴4H-SIC基板的表面制备
作者:
Xun Li
;
Jawad ul Hassan
;
Olof Kordina
;
Erik Janzen
;
Anne Henry
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Surface preparation;
4H-SiC substrates;
CVD;
9.
Slicing of rotating SiC ingot by electric discharge machining
机译:
通过电气放电加工切割旋转SiC锭
作者:
Norimasa Yamamoto
;
Satarou Yamaguchi
;
Tomohisa Kato
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
electric discharge machining;
ingot slicing;
rotating slicing;
10.
The growth of 3-inch 4H-SiC Si-face epitaxial wafer with vicinal off-angle
机译:
具有邻近角度的3英寸4H-Si面外延晶片的生长
作者:
Keiko Masumoto
;
Kazutoshi Kojima
;
Hajime Okumura
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
epitaxial growth;
off angle;
vicinal;
morphology;
uniformity;
triangular defect;
11.
Comparison of Etch Pit Shapes on Off-Oriented 4H-SiC Using Different Halogen Gases
机译:
使用不同的卤素蚀刻坑形状的蚀刻坑形状的比较
作者:
Tomoaki Hatayama
;
Tetsuya Tamura
;
Hiroshi Yano
;
Takashi Fuyuki
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
etching;
etch pits;
dislocation;
chlorine trifluoride;
halogen;
12.
Laplace transform deep level transient spectroscopy study of the EH_(6/7) center
机译:
拉普拉斯改造EH_(6/7)中心的深度瞬态光谱研究
作者:
Giovanni Alfieri
;
Tsunenobu Kimoto
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Intrinsic point defect;
EH_(6/7);
DLTS;
charge state;
13.
15 kV, Large Area (1 cm2), 4H-SiC p-Type Gate Turn-Off Thyristors
机译:
15 kV,大面积(1cm2),4h-SiC P型闸门关闭晶闸管
作者:
Lin Cheng
;
Anant K. Agarwal
;
Craig Capell
;
Michael OLoughlin
;
Khiem Lam
;
Jon Zhang
;
Jim Richmond
;
Al Burk
;
John W. Palmour
;
Aderinto A. Ogunniyi
;
Heather K. OBrien
;
Charles J. Scozzie
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
gate turn-off thyristor;
GTO;
high voltage;
silicon carbide;
carrier lifetime;
high injection-current;
high temperature;
14.
Conversion of Basal Plane Dislocations to Threading Edge Dislocations by Annealing 4H-SiC Epilayers at High Temperatures
机译:
通过在高温下退火4H-SiC脱垂基底平面脱位转换到穿线边缘位错
作者:
Xuan Zhang
;
Masahiro Nagano
;
Hidekazu Tsuchida
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Basal plane dislocations (BPDs);
BPD conversion;
Thermal annealing;
Ion implantation;
SiC epilayers;
15.
Hall effect characterization of 4H-SiC MOSFETs: Influence of nitrogen channel implantation
机译:
4H-SIC MOSFET的霍尔效应特征:氮气通道植入的影响
作者:
V. Mortet
;
E. Bedel-Pereira
;
J.F. Bobo
;
F. Cristiano
;
C. Stronger
;
V. Uhnevionak
;
A. Burenkov
;
A.J. Bauer
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
MOSFET;
Hall effect;
Hall mobility;
charge carrier density;
Coulomb scattering;
nitrogen implantation;
16.
Origin Analyses of Obtuse Triangular Defects in 4deg.-off 4H-SiC Epitaxial Wafers by Electron Microscopy and by Synchrotron X-ray Topography
机译:
通过电子显微镜和同步X射线形貌,4deg的起源分析4deg.-OFF 4H-SIC外延晶片
作者:
T. Yamashita
;
H. Matsuhata
;
Y. Miyasaka
;
H. Ohshima
;
M. Sekine
;
K. Momose
;
T. Sato
;
M. Kitabatake
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Silicon carbide (SiC);
Triangular-Defects;
Synchrotron X-ray Topography;
Electron Microscopy;
17.
Step-flow growth of fluorescent 4H-SiC layers on 4 degree off-axis substrates
机译:
荧光4H-SIC层上的荧光4H-SIC层上的横轴衬底
作者:
Saskia Schimmel
;
Michl Kaiser
;
P. Hens
;
V. Jokubavicius
;
R. Liljedahl
;
J. W. Sun
;
R. Yakimova
;
Y. Ou
;
H. Ou
;
M. K. Linnarsson
;
P. Wellmann
;
M. Syvaejaervi
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
fluorescent silicon carbide;
sublimation epitaxy;
co-doping;
donor-acceptor pair luminescence;
light conversion;
18.
The Integrated Evaluation Platform for SiC Wafers and Epitaxial Films
机译:
SiC晶片和外延薄膜的综合评价平台
作者:
M.Kitabatake
;
J.Sameshima
;
O.lshiyama
;
K.Tamura
;
H.Oshima
;
N.Sugiyama
;
T.Yamashita
;
T.Tanaka
;
J.Senzaki
;
H.Matsuhata
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Evaluation;
Defect;
Step bunching;
Wafer;
Epitaxial film;
TDDB;
19.
Effect of suppressing reoxidation at SiO2/SiC interface during post-oxidation annealing in N2O with AI2O3 capping layer
机译:
用AI2O3封装层抑制SiO2 / SiC界面在SiO2 / SiC界面中抑制再氧化的影响
作者:
T. Kimura
;
T. lshikawa
;
N. Soejima
;
K. Nomura
;
T. Sugiyama
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
MOS capacitors;
Surface morphology;
SiO_2/SiC interface;
Post-Oxidation Annealing;
N_2O anneal;
interface trap density;
Al_2O_3;
20.
Photoluminescence of 8H-SiC
机译:
8H-SIC的光致发光
作者:
Anne Henry
;
Ivan G. lvanov
;
Erik Janzen
;
Tomoaki Hatayama
;
Hiroshi Yano
;
Takashi Fuyuki
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
8H-SiC;
photoluminescence;
excitonic band gap;
ionization energies;
21.
Influence of In-grown Stacking Faults on Electrical Characteristics of 4H-SiC Pin Diode with Long Carrier Lifetime
机译:
生长堆垛机故障对长载体寿命的4H-SiC引脚二极管电特性的影响
作者:
K. Nakayama
;
A. Tanaka
;
K. Asano
;
T. Miyazawa
;
H. Tsuchida
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
8H-type in-grown stacking fault;
carbon implantation;
carrier lifetime;
pin diode;
forward characteristics;
22.
Simulation and Optimization of 4H-SiC DMOSFET Power Transistors
机译:
4H-SIC DMOSFET功率晶体管的仿真与优化
作者:
Chien-Chung Hung
;
Young-Shying Chen
;
Cheng-Tyng Yen
;
Chwan-Ying Lee
;
Lurng-Shehng Lee
;
Ming-Jinn Tsai
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Silicon Carbide;
SiC;
DMOSFETs;
Device Simulation;
Channel Mobility;
23.
Influence of Growth Temperature on Carrier Lifetime in 4H-SiC Epilayers
机译:
生长温度对4H-SIC脱液中载体寿命的影响
作者:
Louise Lilja
;
Jawad ul Hassan
;
Ian Booker
;
Peder Bergman
;
Erik Janzen
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
epitaxial growth;
horizontal hot-wall CVD;
carrier lifetime;
atomic force microscopy;
DLTS;
intrinsic defects;
photoluminescence;
24.
To the experimental determination of the spontaneous polarization for the silicon carbide polytypes
机译:
实验确定碳化硅聚型的自发极化
作者:
S. Yu. Davydov
;
A. A. Lebedev
;
O. V. Posrednik
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
25.
Kinetic Monte Carlo simulation of impurity effects on nucleation and growth of SiC clusters on Si(100)
机译:
动力学蒙特卡罗模拟杂质影响Si(100)的核心簇的成核和生长
作者:
Maxim N. Lubov
;
Jorg Pezoldt
;
Yuri V. Trushin
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
SiC cluster;
Kinetic Monte Carlo simulation;
impurity;
nucleation;
26.
Deep levels in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation
机译:
低能量电子照射引起的P型4H-SiC的深度水平
作者:
Kazuki YOSHIHARA
;
Masashi KATO
;
Masaya ICHIMURA
;
Tomoaki HATAYAMA
;
Takeshi OHSHIMA
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
I-DLTS;
deep-level;
electron irradiation;
carbon vacancy;
recombination center;
27.
High Temperature SiC Sensor with an Electrically Isolated Package
机译:
高温SIC传感器,带电隔离包装
作者:
F. Draghici
;
G. Brezeanu
;
I. Rusu
;
F. Bemea
;
P. Godignon
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Schottky diode;
packaged temperature sensor;
high temperature testing;
28.
Modeling of the mass transport during the homo-epitaxial growth of silicon carbide by fast sublimation epitaxy
机译:
快速升华外延碳化硅同源外延生长的大规模运输建模
作者:
Thomas Hupfer
;
Philip Hens
;
Michl Kaiser
;
Valdas Jokubavicius
;
Mikael Syvaejaervi
;
Peter J. Wellmann
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Silicon Carbide;
Sublimation Epitaxy;
Modeling;
Mass Transport;
29.
Characterization of (4,4)- and (5,3)-type Stacking-faults in 4deg.-off 4H-SiC Epitaxial Wafers by Synchrotron X-ray Topography and by Photo-Luminescence Spectroscopy.
机译:
通过同步X射线地形和光发光光谱法和通过光发光光谱,表征(4,4) - 和(5,3) - 和(5,3)型堆叠故障的堆垛滤故障。通过光发光光谱,对4H-SiC外延晶片。
作者:
T. Yamashita
;
H. Matsuhata
;
Y. Miyasaka
;
M. Odawara
;
K. Momose
;
T. Sato
;
M. Kitabatake
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Silicon carbide (SiC);
Stacking-Faults;
Partial dislocation;
Synchrotron X-ray Topography;
Photo-Luminescence Spectroscopy;
30.
Temperature dependence of the band-edge injection electroluminescence of 4H-SiC pn structure
机译:
4H-SiC PN结构带边注射电致发光的温度依赖性
作者:
Anatoly M. Strelchuk
;
Evgenia V.Kalinina
;
Alexander A. Lebedev
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
pn Structure;
Band-edge injection electroluminescence;
31.
Charge Pumping Analysis of Monolithically Fabricated 4H-SiC CMOS Structures
机译:
单片制成的4H-SiC CMOS结构的电荷泵送分析
作者:
Lucy C. Martin
;
D. Clark
;
E.P. Ramsay
;
A.E. Murphy
;
R.F. Thompson
;
D.A. Smith
;
R.A.R. Young
;
J.D. Cormack
;
N.G. Wright
;
A.B. Horsfall
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Silicon Carbide;
CMOS;
Interface Trap Density;
Charge Pumping;
MOSFET;
32.
Temperature dependence of Raman scattering in 4H-SiC
机译:
拉曼散射在4H-SIC中的温度依赖性
作者:
Hua Yang Sun
;
Siou-Cheng Lien
;
Zhi Ren Qiu
;
Zhe Chuan Feng
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
Raman scattering;
temperature dependence;
longitudinal optical-plasma coupling (LOPC);
33.
Effects of a post-oxidation annealing in nitrous oxide on the morphological and electrical properties of SiO2/4H-SiC interfaces
机译:
氧化后退火在二氮氧化氮中对SiO2 / 4H-SiC界面的形态学和电性能的影响
作者:
L.K. Swanson
;
P. Fiorenza
;
F. Giannazzo
;
F.Roccaforte
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
SiO_2;
4H-SiC;
MOS;
POA;
N_2O;
SSRM;
34.
The Effect of Modified Crucible Design and Seed Attachment on SiC Crystal Grown by PVT
机译:
改性坩埚设计和种子附着对PVT生长的SiC晶体的影响
作者:
Jung-Young Jung
;
Sang-ll Lee
;
Mi-Seon Park
;
Doe-Hyung Lee
;
Hee-Tae Lee
;
Won-Jae Lee
;
Soon-Ku Hong
;
Myong-Chuel Chun
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
SiC;
Modified crucible;
Seed attachment;
Transformation;
PVT;
35.
Comparative Study of n-LIGBT and n-LDMOS structures on 4H-SiC
机译:
N-LIGBT和N-LDMOS结构对4H-SIC的比较研究
作者:
V. Haeublein
;
G. Temmel
;
H. Mitlehner
;
G. Rattmann
;
C. Strenger
;
A. Hurner
;
A. J. Bauer
;
H. Ryssel
;
L. Frey
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
SiC devices;
LIGBT;
LDMOS;
unipolar;
bipolar;
36.
Piezoresistivity and Electrical Conductivity of SiC Thin Films Deposited by High Temperature PECVD
机译:
高温PECVD沉积SiC薄膜的压阻性和导电性
作者:
Oleg Jakovlev
;
Tino Fuchs
;
Franziska Rohlfing
;
Helmut Seidel
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
silicon carbide;
piezoresistivity;
gauge factor;
PECVD;
pressure sensor;
MEMS;
high temperature;
harsh environment;
37.
Effect of Surface Polarity on the Conversion of Threading Dislocations in Solution Growth
机译:
表面极性对溶液生长螺纹脱位转化的影响
作者:
Yuji Yamamoto
;
Shunta Harada
;
Kazuaki Seki
;
Atsushi Horio
;
Takato Mitsuhashi
;
Toru Ujihara
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
solution growth;
4H-SiC;
polarity;
threading dislocation;
X-ray topography;
38.
Effect of a Gas Pressure on the Growth Rate of AIN Layer
机译:
气体压力对AIN层生长速率的影响
作者:
E. N. Mokhov
;
A. A. Wolfson
;
O.P. Kazarova
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
AIN;
growth rate;
gas pressure;
39.
P-Doped SiC Growth on Diamond Substrate by VLS Transport
机译:
VLS运输钻石基板上的P掺杂SIC生长
作者:
A. Vo-Ha
;
D. Carole
;
M. Lazar
;
D. Tournier
;
F. Cauwet
;
V. Souliere
;
D. Planson
;
C. Brylinski
;
G. Ferro
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
VLS growth;
Selective epitaxy;
p-type doping;
Diamond;
Silicon carbide;
40.
Energy gaps induced by a semiconducting substrate in the epitaxial graphene density of states
机译:
半导体衬底在状态外延石墨烯密度中引起的能量间隙
作者:
S. Yu. Davydov
;
A. A. Lebedev
;
S. P. Lebedev
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
41.
Absence of back stress effect in the PVT growth of 6H silicon carbide
机译:
在6H碳化硅的PVT生长中没有背部应力效应
作者:
Martin Seiss
;
Thierry Ouisse
;
Didier Chaussende
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
spiral growth;
growth rate;
BCF theory;
PVT;
back stress effect;
42.
Color chart for thin SiC films grown on Si substrates
机译:
Si基板上生长的薄SIC电影的颜色图表
作者:
Li Wang
;
Sima Dimitrijev
;
Glenn Walker
;
Jisheng Han
;
Alan lacopi
;
Philip Tanner
;
Leonie Hold
;
Yu Zhao
;
Francesca lacopi
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Silicon carbide;
color chart;
epitaxial growth;
thin film;
alternating supply epitaxy, Si substrate;
43.
Micromechanics based on silicon carbide
机译:
基于碳化硅的微机械
作者:
O.N Astashenkova
;
A.V. Korlyakov
;
V.V. Luchinin
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
silicon carbide films;
micromechanics;
mechanical stress;
magnetron deposition;
mechanical properties;
44.
Growth of large diameter 4H-SiC by TSSG technique
机译:
TSSG技术的大直径4H-SIC的生长
作者:
K. Kusunoki
;
N.Yashiro
;
N. Okada
;
K. Moriguchi
;
K. Kamei
;
M. Kado
;
H. Daikoku
;
H. Sakamoto
;
H. Suzuki
;
T.Bessho
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
3-inch;
solution growth;
convection;
immersion guide;
45.
The Study of the Geometry and Growth Trend of Silicon Carbide Crystals
机译:
碳化硅晶体的几何和生长趋势研究
作者:
F. J. Fong
;
W. Y. Chen
;
S. Tsao
;
T.C. Hsao
;
C.F. Huang
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Silicon carbide;
electron beam furnace;
polytypes;
46.
Step instability in sublimation epitaxy on low off-axis 6H-SiC
机译:
低轴6H-SIC下升华外延的步骤稳定性
作者:
Kanaparin Ariyawong
;
Valdas Jokubavicius
;
Rickard Liljedahl
;
Mikael Syvaejaervi
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
6H-SiC;
step bunching;
step instability;
low off-axis;
sublimation epitaxy;
47.
Electrophysical and optical properties of 4?-SiC irradiated with Xe ions
机译:
用Xe离子照射4〜-SIC的电神法和光学性质
作者:
N. Chuchvaga
;
E. Bogdanova
;
A. Strelchuk
;
E. Kalinina
;
D. Shustov
;
M. Zamoryanskaya
;
V. Skuratov
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
Xe;
irradiation;
heavy ions;
cathodoluminescence;
48.
Defect generation and annihilation in 3C-SiC-(001) homoepitaxial growth by sublimation
机译:
通过升华的3C-SiC-(001)同性境增长的缺陷产生和湮灭
作者:
P.Hens
;
J.Muller
;
G.Wagner
;
R.Liljedahl
;
E.Spiecker
;
M.Syvaejaervi
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
3C-SiC;
homoepitaxy;
sublimation;
defects;
XRD;
TEM;
AFM;
49.
Formation of epitaxial defects by threading screw dislocations with a morphological feature at the surface of 4° off-axis 4H-SiC substrates
机译:
通过在4°轴外4H-SiC基板的表面的形态特征的螺纹脱位形成外延缺陷
作者:
T. Aigo
;
W. Ito
;
H. Tsuge
;
H. Yashiro
;
M. Katsuno
;
T. Fujimoto
;
T. Yano
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Morphology;
screw dislocation;
extended epitaxial defect;
step-bunching;
50.
Superfast drift step recovery diodes (DSRDs) and vacuum field emission diodes based on 4H-SiC
机译:
超快漂移步骤恢复二极管(DSRDS)和基于4H-SIC的真空场发射二极管
作者:
A. V. Afanasyev
;
B. V. lvanov
;
V. A. llyin
;
A. F. Kardo-Sysoev
;
M. A. Kuznetsova
;
V. V. Luchinin
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Silicon carbide;
diodes;
static and dynamic characteristics;
switching time;
super short pulse generator;
field emission;
micro- and nano-emitter arrays;
current-voltage characteristic;
field emission current density;
51.
Effects of Al ion implantation on 3C-SiC crystal structure
机译:
Al离子注入对3C-SiC晶体结构的影响
作者:
Andrea Severino
;
Nicolo Piluso
;
Antonio Marino
;
Francesco La Via
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
3C-SiC heteroepitaxy;
Al~+ ion implantation;
Raman spectroscopy;
X-Ray Diffraction;
52.
Silicon nitride as top gate dielectric for epitaxial graphene
机译:
作为外延石墨烯的氮化硅作为顶栅电介质
作者:
Peter Wehrfritz
;
Felix Fromm
;
Stefan Malzer
;
Thomas Seyller
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Epitaxial graphene;
silicon nitride;
field effect;
doping;
53.
Effect of damage removal treatment after trench etching on the reliability of trench MOSFET
机译:
沟槽蚀刻后损伤去除处理对沟沟MOSFET可靠性的影响
作者:
S. Mivahara
;
H. Watanabe
;
T. Yamamoto
;
K. Tsuruta
;
S. Onda
;
N. Soejima
;
Y. Watanabe
;
J. Morimoto
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
MOSFET;
Trench;
Sidewall;
Chemical Dry Etching (CDE);
TDDB;
Reliability;
TDDB;
54.
Insulating Properties of Package for Ultrahigh-Voltage, High-Temperature Devices
机译:
超高电压,高温装置包装的绝缘性能
作者:
Toshihiko Hayashi
;
Toru lzumi
;
Tetsuro Hemmi
;
Katsunori Asano
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
package;
power module;
Si_3N_4;
AIN;
insulating property;
breakdown strength;
55.
Influence of nitrogen implantation on electrical properties of AI/SiO_2/4H-SiC MOS structure
机译:
氮气植入对AI / SiO_2 / 4H-SiC MOS结构电性能的影响
作者:
K. Krol
;
M. Sochacki
;
M. Turek
;
J. Zuk
;
H. M. Przewlocki
;
T. Gutt
;
P. Borowicz
;
M. Guziewicz
;
J.Szuber
;
M. Kwoka
;
P. Koscielniak
;
J. Szmidt
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
silicon carbide;
thermal oxidation;
ion implantation;
ion implantation damage;
56.
Effect of surface and interface recombination on carrier lifetime in 6H-SiC layers
机译:
6H-SIC层中表面和界面复合对载体寿命的影响
作者:
J. W. Sun
;
S. Kamiyama
;
R. Yakimova
;
M. Syvaejaervi
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
6H-SiC;
Carrier lifetime;
μPCD;
57.
Interface defects and negative bias temperature instabilities in 4H-SiC PMOSFETs - a combined DCIV/SDR study
机译:
4H-SIC PMOSFET中的界面缺陷和负偏置温度稳定性 - 一种组合的DCIV / SDR研究
作者:
Thomas Aichinger
;
Patrick M. Lenahan
;
Dethard Peters
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Electrically detected magnetic resonance;
silicon carbide;
MOSFET;
negative bias temperature instability;
polysilicon heater;
polyheater;
58.
Reduction of Threading Screw Dislocation Density Utilizing Defect Conversion during Solution Growth of 4H-SiC
机译:
利用缺陷转化在4H-SiC溶液生长期间利用缺陷转化的螺纹螺旋位错密度
作者:
Shunta Harada
;
Yuji Yamamoto
;
Kazuaki Seki
;
Toru Ujihara
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Solution growth;
Dislocation;
Polytype transformation;
59.
Structural characterization of 3C-SiC grown using methyltrichlorosilane
机译:
3C-SiC使用甲基三氯硅烷种植的结构表征
作者:
Matteo Bosi
;
Giovanni Attolini
;
Bela Pecz
;
Zsolt Zolnai
;
Laszlo Dobos
;
Oscar Martinez
;
Liudi Jiang
;
Salim Taysir
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
SiC;
Methyl trichloro silane;
stress;
polycrystal;
defects;
60.
Complementary JFET Logic for Low-Power Applications in Extreme Environments
机译:
极端环境中低功耗应用的互补JFET逻辑
作者:
H. Habib
;
N. G. Wright
;
A. B. Horsfall
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Silicon carbide;
enhancement mode;
high temperature;
logic inverter;
noise margin;
propagation delay;
static power dissipation;
61.
Pressureless Silver Sintering Die-Attach for SiC Power Devices
机译:
用于SIC电源装置的无压银烧结模具
作者:
Stanislas HASCOEET
;
Cyril BUTTAY
;
Dominique PLANSON
;
Rodica CHIRIAC
;
Amandine MASSON
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
silver sintering;
die-attach;
62.
P-6H-SiC conductivity compensation after irradiation of 8MeV protons
机译:
8MEV质子照射后的P-6H-SIC电导率补偿
作者:
A.A.Lebedev
;
V.V.Kozlovski
;
S.V.Belov
;
E.V.Bogdanova
;
G.A.Oganesyan
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
protons;
carrier removal rate;
P-type SiC;
63.
Correlation of Interface Characteristics to Electron Mobility in Channel-implanted 4H-SiC MOSFETs
机译:
通道注入的4H-SiC MOSFET中界面特性与电子移动性的相关性
作者:
C. Stranger
;
V. Uhnevionak
;
A. Burenkov
;
A. J. Bauer
;
V. Mortet
;
E. Bedel-Pereira
;
F. Cristiano
;
M. Krieger
;
H. Ryssel
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
interface;
field-effect mobility;
surface;
roughness;
Coulomb;
MOSFET;
64.
Efficient Characterization of Threshold Voltage Instabilities in SiC nMOSFETs Using the Concept of Capture-Emission-Time Maps
机译:
使用捕获排放时间地图的概念高效表征SiC NMOSFET中的阈值电压稳定性
作者:
Gregor Pobegen
;
TiborGrasser
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
SiC-MOSFET, Vth-instabilities, drain-current-instability, reliability, defects, traps, capture/emiss;
65.
Fabrication of a P-channel SiC-IGBT with High Channel Mobility
机译:
具有高通道移动性的P沟道SiC-IGBT的制造
作者:
S. Katakami
;
H. Fujisawa
;
K. Takenaka
;
H. lshimori
;
S. Takasu
;
M. Okamoto
;
M. Arai
;
Y. Yonezawa
;
K. Fukuda
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
SiC-IGBT;
p-channel;
channel mobility;
retrograde doping profile;
ultrahigh voltage;
66.
Effects of growth parameters on SiC/SiO2 core/shell nanowires radial structures
机译:
生长参数对SiC / SiO2芯/壳纳米线径向结构的影响
作者:
Sathish Chander Dhanabalan
;
Marco Negri
;
Francesca Rossi
;
Giovanni Attolini
;
Marco Campanini
;
Filippo Fabbri
;
Matteo Bosi
;
Giancarlo Salviati
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Silicon carbide;
core-shell nanowires;
self-assembly;
surfactant;
67.
High Temperature Digital and Analogue Integrated Circuits in Silicon Carbide
机译:
碳化硅中的高温数字和模拟集成电路
作者:
RAR. Young
;
D.T. Clark
;
J.D. Cormack
;
A.E. Murphy
;
D.A Smith
;
R.F. Thompson
;
E.P Ramsay
;
S. Finney
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H SiC, Silicon Carbide, CMOS, high temperature, integrated circuit, wide bandgap semiconductors, Mi;
Logic, Analogue, switched capacitor;
68.
Comparative study on dry etching of a- and (5-SiC nano-pillars
机译:
α和(5-SiC纳米支柱的干蚀刻比较研究
作者:
J. H. Choi
;
L. Latu-Romain
;
E. Bano
;
A. Henry
;
W. J. Lee
;
T. Chevolleau
;
T. Baron
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Nanopillars;
Dry etching;
SiC polytypes;
69.
Raman investigation of aluminum-doped 4H-SiC
机译:
拉曼调查铝掺杂4H-SIC
作者:
S. Juillaguet
;
P. Kwasnicki
;
H. Peyre
;
L. Konczewicz
;
S. Contreras
;
M. Zielinski
;
J. Camassel
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Raman spectroscopy;
SIMS measurements;
4H-SiC;
Fano interference effects;
p doping;
70.
Introducing Color Centers to Silicon Carbide Nanocrystals For in vivo Biomarker Applications: a First Principles Study
机译:
在体内生物标志物应用中将色彩中心引入碳化硅纳米晶体:第一个原则研究
作者:
Balint Somogyi
;
Viktor Z6lyomi
;
Adam Gali
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
silicon carbide quantum dot;
color-centers;
in vivo biomarker;
near-infrared emission;
density functional theory;
71.
Simulation of TEDREC Phenomena for 4H-SiC Pin Diode with p/n Type Drift Layer
机译:
具有P / N型漂移层的4H-SiC引脚二极管的TEDREC现象模拟
作者:
Koji Nakayama
;
Tetsuro Hemmi
;
Katsunori Asano
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
Shockley-type stacking fault;
pin diode;
n-type drift layer;
p-type drift layer;
TEDREC;
72.
Surface evolution of 4H-SiC(0001) during in-situ surface preparation and its influence on graphene properties
机译:
原位表面制备期间4H-SiC(0001)的表面演化及其对石墨烯特性的影响
作者:
Jawad Ul Hassan
;
Axel Meyer
;
Semih Cakmakyapan
;
Ozgur Kazar
;
Jan Ingo Flege
;
Jens Falta
;
Ekmel Ozbay
;
Erik Janzen
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
graphene;
hydrogen intercalation;
carrier mobility;
surface morphology;
atomic force microscopy;
low energy electron microscopy;
73.
Electrical Characterization of PiN Diodes with p~+ layer Selectively Grown by VLS Transport
机译:
P〜+层的PIN二极管的电气表征由VLS传输选择性地增长
作者:
Nicolas Thierry-Jebali
;
Mihai Lazar
;
Arthur Vo-Ha
;
Davy Carole
;
Veronique Souliere
;
Farah Laariedh
;
Jawad ul Hassan
;
Anne Henry
;
Erik Janzen
;
Dominique Planson
;
Gabriel Ferro
;
Christian Brylinski
;
Pierre Brosselard
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
PiN diodes;
VLS;
Localized Epitaxy;
Electrical Characterization;
74.
Electron paramagnetic resonance studies of Nb in 6H-SiC
机译:
6H-SiC中Nb的电子顺磁共振研究
作者:
Xuan Thang Trinh
;
Andreas Gallstroem
;
Nguyen Tien Son
;
Stefano Leone
;
Olle Kordina
;
Erik Janzen
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Nb;
split-vacancy complex;
electron paramagnetic resonance;
75.
Dislocation analysis of 4H- and 6H-SiC single crystals using micro-Raman spectroscopy
机译:
使用微拉曼光谱法的4H-和6H-SiC单晶的脱位分析
作者:
Y. J. Shin
;
W. J. Kim
;
H. -Y. Kim
;
W. Bahng
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
TSD;
micro-Raman spectroscopy;
on-axis;
4H-SiC;
6H-SiC;
76.
A New-Type of Defect Generation at a4H-SiC/SiO_2 interface by Oxidation Induced Compressive Strain
机译:
通过氧化诱导的压缩菌株A4H-SiC / SiO_2接口的新型缺陷产生
作者:
Kenta Chokawa
;
Shigenori Kato
;
Katsumasa Kamiya
;
Kenji Shiraishi
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
Interface;
Oxidation;
Density functioal theory (DFT);
Defect structure;
Carbon-Carbon bond;
77.
High-temperature characterization of 4H-SiC Darlington transistors for low voltage applications
机译:
4H-SiC Darlington晶体管用于低压应用的高温表征
作者:
Luigia Lanni
;
Bengt Gunnar Majm
;
Carl-Mikael Zetterling
;
Mikael OEstling
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Silicon carbide (SiC);
bipolar transistor (BJT);
Darlington pair;
high temperature;
78.
Effects of a post-oxidation annealing in nitrous oxide on the morphological and electrical properties of SiO2/4H-SiC interfaces
机译:
氧化后退火在二氮氧化氮中对SiO2 / 4H-SiC界面的形态学和电性能的影响
作者:
L.K. Swanson
;
P. Fiorenza
;
F. Giannazzo
;
S. Alessandrino
;
S. Lorenti
;
F.Roccaforte
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
SiO_2;
4H-SiC;
MOS;
POA;
N_2O;
SSRM;
79.
40 kW/L High Switching Frequency Three-Phase 400 Vac All-SiC Inverter
机译:
40 KW / L高开关频率三相400 VAC全SIC逆变器
作者:
Kensuke Sasaki
;
Shinji Sato
;
Kohei Matsui
;
Yoshinori Murakami
;
Satoshi Tanimoto
;
Hidekazu Tanisawa
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Three-Phase Inverter;
All-SiC Inverter;
Power Module;
Output Power Density;
80.
4H-SiC Digital Logic Circuitry Based on P+ Implanted Isolation Walls MESFET Technology
机译:
基于P +植入隔离墙MESFET技术的4H-SIC数字逻辑电路
作者:
M. Alexandru
;
V. Banu
;
P. Godignon
;
M. Vellvehi
;
J. Millan
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
MESFET;
P~+ implanted isolation walls;
logic gates;
integrated circuits;
flip-flop;
81.
Study of surface defects in 4H-SiC Schottky diodes using a scanning Kelvin probe
机译:
使用扫描kelvin探针研究4H-SiC肖特基二极管的表面缺陷
作者:
J. Mizsei
;
O. Korolkov
;
J. Toompuu
;
V. Mikli
;
T. Rang
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Schottky diodes;
leakage currents;
Kelvin probe method;
dislocations;
SEM investigations;
82.
Low-temperature transport properties of graphene and multilayer graphene on 6H-SiC
机译:
图6H-SIC的石墨烯和多层石墨烯的低温输送性能
作者:
Alexander A. Lebedev
;
Nina V. Agrinskaya
;
Viacheslav A.Berezovets
;
Veniamin I. Kozub
;
Sergey P. Lebedev
;
Alla A.Sitnikova
;
Demid A.Kirilenko
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
graphen;
sublimation;
Hall bar;
antilocalization;
Shubnikov- de Haas oscillations;
83.
Steady-state analysis of a normally-off 4H-SiC trench bipolar-mode FET
机译:
常关4H-SIC沟槽双极模式FET的稳态分析
作者:
Fortunato Pezzimenti
;
Salvatore Bellone
;
Francesco Giuseppe Delia Corte
;
Roberta Nipoti
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Silicon Carbide;
Power devices;
Device Modeling;
Temperature;
Blocking Voltage;
84.
Characterization of the Metal-Semiconductor Interface of Pt-GaN Diode Hydrogen Sensors
机译:
PT-GaN二极管氢传感器金属半导体界面的表征
作者:
Yoshihiro Irokawa
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
GaN;
hydrogen sensors;
metal-insulator-semiconductor (MIS) interface;
interface state density (D_(it));
85.
Basic experiment on atmospheric-pressure plasma etching with slit aperture for high-efficiency dicing of SiC wafer
机译:
用SiC晶片高效切割狭窄孔径大气压等离子体蚀刻基本试验
作者:
Yasuhisa Sano
;
Hiroaki Nishikawa
;
Kohei Aida
;
Chaiyapat Tangpatjaroen
;
Kazuya Yamamura
;
Satoshi Matsuyama
;
Kazuto Yamauchi
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
cutting;
dicing;
atmospheric-pressure plasma;
slit aperture;
plasma etching;
86.
Compact Modeling of the Punch-Through Effect in SiC-IGBT for 6.6kV Switching Operation with Improved Performance
机译:
SIC-IGBT的冲压效果紧凑型效果6.6kV切换操作,改进性能
作者:
MasatakaMiyake
;
FumiyaUeno
;
Dondee Navarro
;
Mitiko Miura-Mattausch
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
compact model;
IGBT;
SiC;
circuit simulation;
SPICE;
87.
Area-Optimized JTE Simulations for 4.5 kV Non Ion-Implanted SiC BJT
机译:
面积优化的4.5 kV非离子植入SiC BJT的JTE模拟
作者:
Arash Salemi
;
Hossein Elahipanah
;
Benedetto Buono
;
Carl Mikael Zetterling
;
Mikael OEstling
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Junction termination extension (JTE);
bipolar junction transistors (BJTs);
silicon carbide (SiC);
non-ion implantation;
88.
Characterization of Diverse Gate Oxides on 4H-SiC 3D Trench-MOS Structures
机译:
4H-SIC 3D沟槽 - MOS结构中不同栅极氧化物的特征
作者:
C. T. Banzhaf
;
M. Grieb
;
A. Trautmann
;
A. J. Bauer
;
L. Frey
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H;
SiC;
3D;
MOS;
trench;
oxide;
interface;
breakdown;
quality;
89.
4H-SiC Trench Schottky Diodes for Next Generation Products
机译:
下一代产品的4H-SIC沟槽肖特基二极管
作者:
Qingchun (Jon) Zhang
;
Jennifer Due
;
Van Mieczkowski
;
Brett Hull
;
Scott Allen
;
John Palmour
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
SiC;
Schottky diode;
trench structure;
interface field;
termination;
90.
Photoluminescence topography of fluorescent SiC and its corresponding source crystals
机译:
荧光SiC的光致发光地形及其相应的源晶体
作者:
Martin Wilhelm
;
Michl Kaiser
;
V. Jakubavicius
;
M. Syvaejaervi
;
Y. Ou
;
H. Ou
;
P. Wellmann
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
luminescent SiC;
6H-SiC;
epitaxy;
photoluminescence topography;
91.
Edge termination design improvements for 10 kV 4H-SiC bipolar diodes
机译:
10 kV 4H-SiC双极二极管的边缘终端设计改进
作者:
D.M. Nguyen
;
R. Huang
;
L.V. Phung
;
D. Planson
;
M. Berthou
;
P. Godignon
;
B. Vergne
;
P. Brosselard
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
bipolar diode;
edge termination;
MESA;
JTE;
breakdown voltage;
device simulation;
92.
A comparison of free carrier absorption and capacitance voltage methods for interface trap measurements
机译:
接口陷阱测量的自由载体吸收和电容电压方法的比较
作者:
S. S. Suvanam
;
M. Usman
;
K. Gulbinas
;
V. Grivickas
;
A. Hallen
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
radiation hardness;
FCA;
SRV;
interface trap density;
high-k dielectrics;
4H-SiC;
93.
15 kV IGBTs in 4H-SiC
机译:
4H-SIC中的15 kV IGBTS
作者:
S. Ryu
;
C. Capell
;
C. Jonas
;
M. OLoughlin
;
L. Cheng
;
K. Lam
;
A. Burk
;
J. Richmond
;
J. Clayton
;
A. Hefner
;
D. Grider
;
A. Agarwal
;
J. Palmour
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
IGBT;
High Voltage;
94.
The impact of the surface treatments on the properties of GaN/3C-SiC/Si based Schottky Barrier Diodes
机译:
表面处理对GaN / 3C-SiC / Si基肖特基势垒二极管性能的影响
作者:
Jisheng Han
;
Philip Tanner
;
Sima Dimitrijiev
;
Qu Shuang
;
Yan Shen
;
XiangangXu
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Schottky Barrier Diode;
GaN;
3C-SiC;
Titanium;
Nickel;
Molybdenum;
95.
3C-, 4H- and 6H-SiC Bulks Studied by Silicon K-edge X-ray Absorption
机译:
通过硅K边缘X射线吸收研究的3C-,4H和6H-SiC块
作者:
Wei Zheng
;
Zhe Chuan Feng
;
Rui Sheng Zheng
;
Ling-Yun Jang
;
Chee Wei Liu
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
6H-SiC;
4H-SiC;
3C-SiC;
synchrotron radiation;
X-ray absorption;
X-ray absorption fine structure;
Extended X-ray absorption fine structure;
X-ray absorption near-edge structure;
96.
Low temperature homoepitaxial growth of 4H-SiC on 4° off-axis carbon-face substrate using BTMSM source
机译:
使用BTMSM源4°轴外碳面基板的4H-SiC的低温同性恋生长
作者:
Hunhee Lee
;
Han Seok Seo
;
Do Hyun Lee
;
Changhyun Kim
;
Hyunwoo Kim
;
Hyeong Joon Kim
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
4H-SiC;
Epitaxy;
Carbon (000-1)face;
BTMSM source;
97.
SiC/Si pseudosubstrates for AIGaN nanoelectronic devices
机译:
AIC / SI粉末用于AIGAN纳米电子器件
作者:
Lars Hiller
;
Katja Tonisch
;
Joerg Pezoldt
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
three terminal junction;
SiC;
pseudosubstrate;
AlGaN;
GaN;
heteroepitaxy;
ballistic transport;
TTJ;
TBJ;
98.
High-rate rotated epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) substrate for qualified epitaxial graphene on silicon
机译:
Si(110)衬底上的3C-SiC(111)的高速旋转外延在硅上合格的外延石墨烯
作者:
Maki Suemitsu
;
Shota Sanbonsuge
;
Eiji Saito
;
Myung-Ho Jung
;
Hirokazu Fukidome
;
Sergey Filimonov
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Graphene;
Silicon;
Epitaxy;
Monomethylsilane;
99.
Optical triggering of 12 kV, 1 cm2 4H-SiC thyristors
机译:
光学触发12 kV,1cm2 4h-SiC晶闸管
作者:
S. L. Rumyantsev
;
M. E. Levinshtein
;
M. S. Shur
;
T. Saxena
;
Q. J. Zhang
;
A. K. Agarwal
;
L. Cheng
;
J. W. Palmour
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Silicon carbide;
power devices;
thyristors;
optical triggering;
100.
Pulse Current Characterization of SiC GTO Thyristors with Etched JTE
机译:
用蚀刻JTE的SiC GTO晶闸管脉冲电流表征
作者:
Sigo Scharnholz
;
Ralf Hassdorf
;
Gontran Paques
;
Bertrand Vergne
;
Dominique Planson
会议名称:
《European conference on silicon carbide and related materials》
|
2013年
关键词:
Thyristor;
gate turn-off;
GTO;
edge termination;
JTE;
pulsed power;
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