靶基距对反应溅射AlN薄膜微结构和性能的影响

王进; 李翠平; 杨保和; 张庚宇; 尹涛涛; 苏林

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靶基距对反应溅射AlN薄膜微结构和性能的影响

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采用射频(RF)磁控反应溅射法在Si基底上制备了氮化铝(AlN)薄膜,利用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米力学测试系统研究靶基距对AlN薄膜取向性、微结构、形貌和力学性能的影响。结果表明,靶基距较大时,形成的AlN薄膜为非晶态,薄膜表面较疏松;随着靶基距的减少,AlN薄膜变为多晶态,且具有(100)择优取向;随着靶基距的进一步减少,薄膜结晶质量变好,晶粒变大,薄膜变得更致密,择优取向也由(100)逐渐向(002)转变;靶基距较小时,AlN压电薄膜与基底结合得更牢固,而压电薄膜与基底结合的紧密程度对多层膜声表面波(SAW)器件性能优劣的影响至关重要。

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来源
《光电子．激光》 |2012年第8期|1519-1524|共6页
作者
王进; 李翠平; 杨保和; 张庚宇; 尹涛涛; 苏林;
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作者单位

天津理工大学天津市薄膜电子与通信器件重点实验室;

天津300384;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
氮化铝(AlN)薄膜; 靶基距; 射频(RF)磁控; 择优取向;

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