铟锡氧化物扩展层对LED抗静电及漏电性能的影响

田亮; 高志远; 孙丽媛; 邹德恕

首页> 中文期刊> 《光电子．激光》 >铟锡氧化物扩展层对LED抗静电及漏电性能的影响

铟锡氧化物扩展层对LED抗静电及漏电性能的影响

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

研究了以铟锡氧化物(ITO)薄膜作为电流扩展层及出光窗口层的红光LED的漏电增加和抗静电能力下降的问题。结果发现,器件漏电和抗静电能力造成危害的因素并非ITO本身,而是芯片切割过程中侧壁的机械损伤和划片之后ITO颗粒沾污导致的PN结短路。通过化学腐蚀工艺清保芯片切割处的ITO薄膜、切割过程中侧壁的机械损伤痕迹和ITO颗粒的沾污,不仅使带ITO扩展层的LED器件的光提取效率提高了10%以上,抗静电能力提高了1.6倍,而且器件的漏电未受任何影响。

著录项

来源
《光电子．激光》 |2013年第12期|2289-2294|共6页
作者
田亮; 高志远; 孙丽媛; 邹德恕;
展开▼
作者单位

北京工业大学北京光电子技术实验室;

北京100124;

国家电网智能电网研究院;

北京100192;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光纤元件;
关键词
铟锡氧化物(ITO); 抗击穿能力; 漏电;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响 [J] . 刘媛媛 ,赵继凤 ,李延辉 . 真空科学与技术学报 . 2016,第4期
2. 氧分压对直流磁控溅射铟锡氧化物(ITO)导电薄膜结构和性能的影响 [J] . 吴茵 ,廖红卫 ,陈曙光 . 湖南有色金属 . 2007,第2期
3. 氧流量对铟锡氧化物薄膜光电性能的影响 [J] . 李世涛 ,乔学亮 ,陈建国 . 稀有金属材料与工程 . 2006,第1期
4. 制备工艺对纳米级铟锡氧化物(ITO)形貌和电性能的影响 [J] . 刘建玲 ,赖琼琳 ,陈宗璋 . 功能材料 . 2005,第4期
5. 基材温度对铟锡氧化物膜结构与电性能的影响 [J] . 刘静 ,李秀荣 ,李长珍 . 硅酸盐学报 . 2000,第3期
6. 使用旋转靶溅镀系统最大化上部发光有机发光二极管内部反射层(铟锡氧化物/银/铟锡氧化物)的反射率和平坦度 [C] . Wan-Yu Lin ,林宛瑜 ,Jian Liu . 2016中国平板显示学术会议 . 2016
7. 制备工艺对非晶铟锡锌氧化物薄膜晶体管的性能影响研究 [A] . 梁永烨 . 2015

铟锡氧化物扩展层对LED抗静电及漏电性能的影响

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅