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李杨; 冯列峰; 李丁; 王存达; 邢琼勇; 张国义;
天津大学理学院天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室;
天津300072;
北京大学物理学院;
宽禁带半导体研究中心人工微结构与介观物理国家重点实验室;
北京100871;
海南工商职业学院;
海南海口570203;
发光二极管(LED); 负电容; 电导; p-n结;
机译:使用亚微米级Ag岛和ITO薄膜的GaN基发光二极管的表面形态,结构,电学和光学特性
机译:发射波长为429-467 nm的GaN基发光二极管的电学和光学特性
机译:高性能GaN基发光二极管的Cu掺杂In 2 sub> O 3 sub> / Sb掺杂SnO 2 sub>欧姆接触的电学特性
机译:商用GaN蓝光发光二极管的电学特性
机译:GaN基发光二极管和垂直腔表面发射激光器的量子效率增强。
机译:分布式布拉格反射器对GaN基倒装芯片发光二极管电学和光学性能的影响
机译:基于Si的同性记Ingan / GaN蓝光发光二极管的反向漏电流特性的显着提高
机译:宽间隙半导体,siC和GaN的低频噪声特性研究,以及siC基功率器件,二极管和晶闸管的主要特性
机译:具有改善的电学和光学性质的具有透光电极的GaN基复合半导体发光器件的制造方法
机译:GaN基半导体膜,制造相同的半导体发光二极管的方法
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