真空高温脱O引起Si图形衬底形态变化的研究

周志玉; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯

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真空高温脱O引起Si图形衬底形态变化的研究

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利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统,在不同的温度、环境氛围及脱O过程参与等条件下对全息法制备的二维周期图形Si衬底进行退火,通过原子力显微镜(AFM)进行表征与分析,研究真空高温脱O过程对图形衬底表面形态变化的影响。结果表明,真空环境使衬底表面的Si原子可以自由运动,脱O过程增强了Si原子在表面的迁移,温度会影响Si原子的扩散速率,3个因素的共同作用导致图形深度变浅,侧壁坡度变缓。此外,在周期图形台面的边缘,观察到环形有序分布的纳米Si岛。

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来源
《光电子．激光》 |2009年第11期|1430-1433|共4页
作者
周志玉; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯;
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作者单位

集美大学诚毅学院实验管理中心;

福建厦门361021;

厦门大学物理系半导体光子学研究中心;

福建厦门361005;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类基础理论;
关键词
图形衬底; 高温脱氧; 退火;

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