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图形化Si衬底上Ge量子点的生长

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随着Si集成技术的发展,与之相匹配的Ge量子点因其在器件中的潜在应用价值而被广泛研究.控制Ge量子点的大小以及成核位置,有助于更加全面地研究Ge量子点.近些年,图形衬底上Ge量子点的可控生长有了重要进展.在本文中,主要研究了图形化Si衬底上Ge量子点分子的生长.图形化Si衬底可采用纳米球刻蚀技术或电子束曝光等方法制得.最终在Si衬底上得到了底部有四个尖角的坑.在Ge的生长过程中,Ge原子优先在坑底部的四个尖角处聚集成核并生长成Ge岛.因此,每个坑内都生长有四个Ge量子点,组成Ge量子点分子.而这样的量子点分子将为量子点耦合方面的研究以及新型器件的设计等方面带来广阔的应用前景.

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来源
《第十届全国分子束外延学术会议》|2013年|33|共1页
会议地点上海
作者
雷卉; 张永; 周通; 吴珊; 钟振扬;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类制造工艺;
关键词
集成电路; 制造工艺; 锗量子点; 可控生长;

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