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张昉昉; 曾一平; 李晋闽; 王保强; 朱战平;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
InAs量子点; 分子束外延生长; Si衬底;
机译:MBE在Si衬底上以SiO2掩模为边界的三角形纳米腔上GaAs量子点的选择性生长
机译:在GE或Si衬底上外延生长的INAS / GAAS量子点激光器的动态
机译:通过金属有机化学气相沉积在Ge / Si衬底上单片生长的InAs / GaAs量子点在1.3μm处的电致发光
机译:在Si衬底上的InAs纳米线的在辅助催化剂MBE-VLS生长
机译:对MBE生长的半导体量子点的增强拉曼效应。
机译:在Si衬底上外延生长高质量GaN膜的新方法:MBE和PLD的结合
机译:分析在集成激光应用中生长在Si衬底上的InAs量子点中的辐射和非辐射复合
机译:mBE生长的InGasb / Inas超晶格光电二极管的钝化
机译:MBE方法在Si衬底上CDTE的生长方法
机译:MBE在SI衬底上生长CDTE的方法
机译:由锌混合型(也称为“立方晶型”)形成的母晶体中含有纳米点(也称为“量子点”)的活性区域AlyInxGal-y-xN晶体(y [[□]] [≧ [0,x> 0)生长在Si衬底上,以及使用该衬底的发光器件(LED和LD)
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