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【24h】

Selective growth of GaAs quantum dots on the triangle nanocavities bounded by SiO2 mask on Si substrate by MBE

机译：MBE在Si衬底上以SiO2掩模为边界的三角形纳米腔上GaAs量子点的选择性生长

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Selective molecular-beam epitaxy (MBE) growth of GaAs quantum dots (QDs) on the uniform and periodic arrays of triangle nanocavities bounded by SiO2 mask on Si substrate has been realized. These triangle nanocavities with vertical sidewalls, known as windows, are obtained on Si substrate with thin layer SiO2 on the surface by combining inductively coupled plasma etching and nanosphere lithography. MBE growth conditions are optimized to achieve a vanishingly small sticking coefficient of incident Ga atoms on the SiO2 surface and a near unity sticking coefficient on the open triangle Si substrate surface, achieving selective growth of GaAs QDs on these triangle nanocavities. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：在Si衬底上，以SiO2掩模为边界的三角形纳米腔的均匀且周期性的阵列上，实现了GaAs量子点（QDs）的选择性分子束外延（MBE）生长。这些具有垂直侧壁的三角形纳米腔（称为窗口）是通过结合感应耦合等离子体蚀刻和纳米球光刻技术在表面具有薄层SiO2的Si基板上获得的。优化MBE生长条件，以使SiO2表面上入射的Ga原子的粘附系数逐渐消失，而在开放式三角形Si衬底表面上的粘附系数接近于单位，从而在这些三角形纳米腔上实现GaAs QD的选择性生长。 （C）2004 Elsevier B.V.保留所有权利。

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