基于聚合物电介质的并五苯场效应晶体管

周建林; 黄智勇; 甘平; 王靖; 郭瑜

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基于聚合物电介质的并五苯场效应晶体管

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采用顶接触结构分别在SiO2、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)绝缘层上制备了以并五苯为有源层的两种有机场效应晶体管(OFET),其中SiO2绝缘层采用热生长法制备,PMMA绝缘层采用溶液旋涂法制备。与常规基于无机绝缘层的器件相比,采用聚合物为绝缘层后,不但器件的制作工艺简化和成本降低,而且器件性能大幅提高,经测试,器件的迁移率提到0.153cm2/Vs,而阈值电压降低6V。采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)等对器件性能提高的原因进行了详细分析。

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来源
《光电子．激光》 |2010年第4期|516-519|共4页
作者
周建林; 黄智勇; 甘平; 王靖; 郭瑜;
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作者单位

重庆大学通信工程学院电子工程系;

重庆400044;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
有机晶体管; 并五苯; 绝缘层; 聚合物;

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