衬底温度及蒸发条件对有机光电探测器性能的影响

张旭; 何锡源; 王德明

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衬底温度及蒸发条件对有机光电探测器性能的影响

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为了深入研究p型Si衬底的有机光电探测器的工艺条件对器件光电性能的影响,本文利用Dektak-8型α台阶仪及高分辨率Topometrix Exptorer型原子力显微镜(AFM),对不同衬底温度及蒸发条件下沉积的有机薄膜表面厚度进行了测量;采用拓扑和侧向力接触两种模式,对其表面形貌及其变化规律进行了研究;对制成的光电探测器的光电性能进行了测试分析。结果表明,PTCDA在p-Si(100)表面形成的多晶薄膜呈岛状形态,岛的大小及形貌受制备工艺条件的影响;当衬底温度为50℃、PTCDA的蒸发温度为420℃和蒸发时间为15s时,蒸发薄膜的厚度为135nm;测得器件的最大光电流为92μA,暗电流为7nA。实现了衬底温度及蒸发条件的最佳化。

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来源
《光电子．激光》 |2012年第3期|439-444|共6页
作者
张旭; 何锡源; 王德明;
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作者单位

甘肃联合大学电子信息工程学院;

甘肃兰州730000;

兰州大学物理科学与技术学院;

甘肃兰州730000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类装架;
关键词
Si衬底; 温度; 蒸发条件; 有机光电探测器; 影响;

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