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李彤; 王铁钢; 陈佳楣; 倪晓昌; Evarist Mariam; 赵新为;
天津职业技术师范大学电子工程学院;
天津300222;
天津职业技术师范大学机械工程学院;
日本东京理科大学物理系;
162-8601;
NiO; Cu掺杂; 异质pn结; 磁控溅射; 整流特性;
机译:ZnO层厚度对室温制备的NiO / ZnO异质结光电性能的影响
机译:全透明高性能太阳能盲,ITO / P-NIO / N-ZNO紫外异质结双极光电晶体管
机译:高性能有机/无机杂交紫外线P-NIO / PVK / N- ZnO异质结光电二极管,具有聚(N-乙烯基咔唑)插入层
机译:通过溶胶 - 凝胶法制备的NiO / ZnO异质结薄膜的退火温度的影响
机译:TiO2和NIO:用于异质结太阳能电池的Cu载波选择性阻隔层
机译:激子ZnO / NiO异质结的综合光谱光电流密度和重现性分析
机译:Nio薄膜的优化与表征及厚度对N-ZnO纳米棒/ P-Nio异质结的电性能的影响
机译:Cu2O / TiO2纳米管异质结阵列的制备及其光电化学行为研究。
机译:用于光电探测器的Al ZnO UV衬底,包括Al和ZnO和ZnO的异质结构和包括相同的UV光电探测器
机译:具有光电二极管的集成半导体电路-使用光电二极管PN结以及区域和衬底之间的类似结来产生光电流
机译:光电半导体元件-具有带导电性相反且具有依赖于衬底的pn结的沉积半导体层的衬底
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