Si/NiO异质pn结的光电性能研究

李彤; 介琼; 王雅欣; 倪晓昌; 赵新为

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利用磁控溅射方法成功制备了Si/NiO异质pn结。实验表明,退火温度升到400℃时,Si/NiO异质结呈现一定的整流特性;600℃退火的Si/NiO异质结呈现很好的整流特性,正向开启电压达到3.5V,-7V时出现漏电流。这可能是因为600℃退火后,样品结晶转好,应力释放,缺陷减少,从而改善了样品的整流特性。这一结果得到了X射线衍射(XRD)、原子显微镜(AFM)和紫外(UV)结果的充分支持。

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来源
《光电子．激光》 |2014年第1期|42-45|共4页
作者
李彤; 介琼; 王雅欣; 倪晓昌; 赵新为;
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作者单位

天津职业技术师范大学电子工程学院;

天津300222;

东京理科大学物理系;

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正文语种 chi
中图分类材料结构及物理性质;薄膜技术;
关键词
NiO; pn结; 磁控溅射; 整流特性;

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