O_2含量对Si/NiO:Na异质pn结的光电性能影响

李彤; 王铁钢; 王达夫; 倪晓昌; 赵新为

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O_2含量对Si/NiO:Na异质pn结的光电性能影响

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利用磁控溅射方法在n型Si衬底上制备了NiO:Na薄膜构成异质pn结,并研究了其光电特性。实验结果表明,当O2/Ar+O2比例从0%升高到30%时,Si/NiO:Na的pn结表现出最佳整流特性,正向开启电压达到4.9V,-7V时才出现漏电流。这可能是由于NiO:Na薄膜结晶度得到改善,薄膜内缺陷减少所致。继续增加O2/Ar+O2比例,薄膜结晶质量转差,相应也削弱了其整流特性,这一结果得到X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和紫外(UV)透射结果的充分支持。

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来源
《光电子．激光》 |2015年第2期|284-287|共4页
作者
李彤; 王铁钢; 王达夫; 倪晓昌; 赵新为;
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作者单位

天津职业技术师范大学电子工程学院;

天津300222;

东京理科大学物理系;

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正文语种 chi
中图分类材料结构及物理性质;薄膜技术;
关键词
NiO; Na掺杂; pn结; 磁控溅射; 整流特性;

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