利用Cs_2CO_3和Cs_2CO_3:BPhen改善OLED的光电性能

杨魏强; 张彤蕾; 陆勍; 陈炳月; 吕昭月

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利用Cs_2CO_3和Cs_2CO_3:BPhen改善OLED的光电性能

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碳酸铯(Cs2CO3)是优秀的电子注入材料,本文通过器件ITO/MoO3(3nm)/NPB(40nm)/C545T:Alq3(99∶1,30nm)/Alq3(30nm)/Cs2CO3(xnm)/Al(100nm)优化了Cs2CO3作为电子注入层(EIL)的厚度。Cs2CO3作为EIL,提高了器件的电子注入能力,使更多的电子得以与空穴在发光层复合发光。实验结果表明,Cs2CO3作为EIL的优化厚度为1.5nm时,对应器件的效率是不含Cs2CO3的3倍以上。在Cs2CO3作为EIL的基础上,研究器件结构为ITO/NPB(40nm)/Alq3(45nm)/Cs2CO3:Bphen(0%,5%,10%,15nm)/Cs2CO3(1.5nm)/Al(100nm)时不同浓度的Cs2CO3掺杂电子传输层Bphen(Cs2CO3:Bphen)对器件性能的影响。结果表明,Cs2CO3掺杂浓度较低时(5%)能进一步改善器件的电子传输和注入能力,进而提高器件的发光效率;而掺杂浓度较高时(10%),由于Cs扩散严重,形成淬灭中心,使得发光效率衰减严重。

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来源
《光电子．激光》 |2015年第4期|671-675|共5页
作者
杨魏强; 张彤蕾; 陆勍; 陈炳月; 吕昭月;
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作者单位

华东理工大学理学院物理系;

上海200237;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类激光器;
关键词
有机电致发光器件(OLED); 电子注入层(EIL); 碳酸铯(Cs2CO3); 掺杂;

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