基于Bphen:BCP:Cs_2CO_3作为电子传输层的OLED性能研究

杜帅; 张方辉

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基于Bphen:BCP:Cs_2CO_3作为电子传输层的OLED性能研究

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为了进一步平衡OLED器件内部空穴和电子载流子的注入,制备了结构为ITO/NPB(40nm)/Alq3(45nm)/Bphen:(X%)BCP:(5%)Cs_2CO_3(15nm)/Cs_2CO_3(1.5nm)/Al(100nm)的OLED器件,通过改变BCP的掺杂浓度,研究了以Bphen:BCP:Cs_2CO_3作为电子传输层对OLED器件发光亮度、电流密度和效率等性能的影响。结果表明,采用Bphen:BCP:Cs_2CO_3作为电子传输层能提高器件的电子注入能力,改善器件的性能,相比于未引入BCP的器件,采用BCP掺杂浓度为10%的Bphen:BCP:Cs_2CO_3作为电子传输层,可以使器件的最大电流效率提高46%,达到3.89cd/A,且在电压从为5V上升至10V的过程中,器件的色坐标一直为(0.35,0.55),具有很高的稳定性。原因是由于BCP的高LUMO能级和高HOMO能级,能够有效阻挡空穴到达阴极,减小空穴漏电流,同时使电子的注入更容易,电子和空穴的注入更加平衡,发光也更加稳定。

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来源
《光电子．激光》 |2017年第1期|19-24|共6页
作者
杜帅; 张方辉;
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作者单位

陕西科技大学电气与信息工程学院;

陕西西安710021;

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正文语种 chi
中图分类 TN383.1;
关键词
电子传输层; Bphen; BCP; Cs2CO3; 有机电致发光器件;

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