Si基Ge波导光电探测器的制备和特性研究

陈荔群; 周志文; 李成; 赖虹凯; 陈松岩

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Si基Ge波导光电探测器的制备和特性研究

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以外延Ge薄膜为吸收区,在Si基上制备了Ge波导光电探测器。利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备,采取低温高温两步法,在Si(100)衬底上外延出厚度约为500nm的高质量纯Ge层。探测器采用脊型波导结构,Al电极分别制作在波导的台面上下形成背对背肖特基结。I-V特性测试表明,在-1V偏压下,暗电流密度为0.2mA/cm2。由于Si与Ge热失配引起外延的Ge薄膜受到0.2%张应变,减小了Ge带隙,光响应波长范围扩展到1.60μm以上。在70mW、1.55μm入射光照射下,测得光电流比暗电流高出近1个数量级。

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来源
《光电子．激光》 |2009年第8期|1012-1015|共4页
作者
陈荔群; 周志文; 李成; 赖虹凯; 陈松岩;
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作者单位

集美大学诚毅学院;

福建厦门361021;

厦门大学物理系半导体光子学研究中心;

福建厦门361005;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体光电器件;
关键词
Ge; 波导; 光电探测器;

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