退火温度对ZnO掺杂ITO薄膜性能的影响

闫其昂; 石培培; 严启荣; 牛巧利; 章勇

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退火温度对ZnO掺杂ITO薄膜性能的影响

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利用电子束蒸镀方法,在K8玻璃衬底上沉积ZnO掺杂ITO(ZnO-ITO)与ITO薄膜。研究不同退火温度对ZnO-ITO薄膜的微观结构的影响;对比分析了在不同退火温度条件下,ZnO-ITO和无掺杂ITO薄膜的光电性能。结果发现,ZnO-ITO薄膜具有较大的晶粒尺寸,随着退火温度的上升,晶体结构得到改善,表面粗糙度减小,薄膜的光电性能显著提高。ZnO-ITO薄膜经过500℃退火后得到最佳的综合性能,其表面均方根粗糙度(RMS)为32.52nm,电阻率为1.43×10-4Ω.cm;对442nm波长的光,透射率可达98.37%;与ITO薄膜相比,ZnO-ITO薄膜具有显著的抗PEDOT:PSS溶液腐蚀的能力。

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来源
《光电子．激光》 |2012年第3期|512-517|共6页
作者
闫其昂; 石培培; 严启荣; 牛巧利; 章勇;
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作者单位

华南师范大学光电子材料与技术研究所;

广东广州510631;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;特种结构材料;
关键词
ZnO掺杂ITO(ZnO-ITO)薄膜; 电子束蒸发; 退火温度;

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