MP-CVD中CH_4浓度对CH_4/H_2等离子体中基团的影响

曹为; 李国伟; 吴建鹏; 马志斌

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MP-CVD中CH_4浓度对CH_4/H_2等离子体中基团的影响

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采用发射光谱法(OES)诊断了微波等离子体化学气相沉积(MP-CVD)制备金刚石膜过程中CH4浓度对CH4/H2等离子体中基团分布的影响,并利用拉曼光谱对不同CH4浓度下沉积的金刚石膜生长面进行表征。研究表明:CH4/H2等离子体中存在Hα、Hβ、Hγ、CH、C2基团,且各基团谱线强度随CH4浓度的增加而增强,其中C2基团的光谱强度显著增强;CH4/H2等离子体电子温度随CH4浓度的增加而上升;光谱空间诊断发现等离子体球中基团沿径向分布不均匀,随CH4浓度增加,C2和CH基团分布的均匀性显著变差;沉积速率测试表明,单纯增加CH4浓度不能有效提高金刚石膜的沉积速率;Raman光谱测试结果表明,低CH4浓度(0.8%)下沉积出的金刚石膜质量更理想。

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来源
《光电子．激光》 |2013年第5期|946-950|共5页
作者
曹为; 李国伟; 吴建鹏; 马志斌;
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作者单位

武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室;

湖北武汉430073;

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正文语种 chi
中图分类 TL651;
关键词
金刚石膜; 等离子体; 发射光谱法(OES);

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