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孙佳; 李明吉; 李红姬; 黄保坤; 杨保和;
天津理工大学薄膜电子与通信器件天津市重点实验室;
天津300384;
天津理工大学化学化工学院;
中国科学院大连化学物理研究所;
辽宁大连116023;
碳纳米管; 射频等离体增强化学气相沉积(RF-PECVD); Ni; MgO;
机译:在MgO负载的Fe,Mo,Co和Ni等单催化剂和双催化剂上生长的多壁碳纳米管和碳纳米洋葱的储氢特性
机译:不同温度下CoFe2O4-MgO催化剂的碳纳米管的生长和表征
机译:PECVD快速热退火Ni催化剂上碳纳米管的生长和场发射特性
机译:PECVD法在Ni催化剂层玻璃基板上碳纳米管的生长和场发射特性
机译:碳纳米管生长条件下金属催化剂的表面化学。
机译:Ni3S2原位生长在Ni泡沫上与掺氮碳纳米管耦合作为氢析出的高效电催化剂在碱性溶液中反应
机译:催化剂预处理,生长气氛和温度对使用Co-Mo / MgO催化剂合成碳纳米管的影响
机译:不添加额外催化剂的Constantan(Cu-Ni-mn合金)金属基体上碳纳米管的生长和表征(postprint)
机译:碳纳米管生长用基材,碳纳米管生长的方法,控制碳纳米管生长的催化剂的粒径的方法和控制碳纳米管直径的方法
机译:碳纳米管生长基板,碳纳米管生长方法,碳纳米管生长催化剂的粒径控制方法以及控制碳纳米管直径的方法
机译:利用消除金属碳纳米管的情况下防止生长的半导电碳纳米管的损伤的光辐照选择性生长半导电碳纳米管的方法
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