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Carbon nanotube growth substrate, the carbon nanotube growth method, the grain diameter control method for carbon nanotube growth catalyst, and method of controlling the diameter of carbon nanotubes

机译:碳纳米管生长基板,碳纳米管生长方法,碳纳米管生长催化剂的粒径控制方法以及控制碳纳米管直径的方法

摘要

Carbon nanotube growth substrate having a catalyst layer is atomized using an arc plasma gun. I grow the CNT by remote plasma CVD method or a thermal CVD method in the catalyst layer. I want to control the particle size of the catalyst for CNT growth in the number of shots of the arc plasma gun. Grown CNT by remote plasma CVD method or a thermal CVD method on the catalyst layer, which is the control of the catalyst particle size, I want to control the outer diameter or inner diameter that.
机译:使用电弧等离子体枪将具有催化剂层的碳纳米管生长基板雾化。我通过远程等离子体CVD方法或热CVD方法在催化剂层中生长CNT。我想通过电弧等离子体枪的发射次数来控制用于CNT生长的催化剂的粒径。通过远程等离子体CVD法或热CVD法在催化剂层上生长CNT,这是催化剂粒径的控制,我想控制其外径或内径。

著录项

  • 公开/公告号JPWO2007139086A1

    专利类型

  • 公开/公告日2009-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社アルバック;

    申请/专利号JP20080517935

  • 发明设计人 中野 美尚;山崎 貴久;村上 裕彦;

    申请日2007-05-29

  • 分类号C01B31/02;B01J37/02;B01J23/755;C23C14/14;C23C14/02;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 19:38:41

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