脉冲激光沉积制备Ge纳米薄膜的研究

程成; 薛催岭; 宋仁国

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脉冲激光沉积制备Ge纳米薄膜的研究

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利用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Ar环境下于Si基片上制备出Ge纳米薄膜。用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)观测了薄膜的微观结构和形貌,分析了它们随激光能量密度和衬底温度的变化情况。结果表明:Ge薄膜在室温下即可以结晶,其平均晶粒尺寸随脉冲激光能量密度的增大而增大。当脉冲激光能量密度为0.94 J/cm2时,所制备的薄膜由约13 nm的颗粒组成;当脉冲激光能量密度增大为1.31 J/cm2时,颗粒的平均尺寸增大为56 nm,且薄膜表面变得比较均匀。此外,当衬底温度从室温升到450℃过程中,晶粒平均尺寸随温度升高而增大。在实验基础上,对薄膜的生长机理进行了分析。

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来源
《光电子．激光》 |2009年第2期|204-207|共4页
作者
程成; 薛催岭; 宋仁国;
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作者单位

浙江工业大学应用物理系;

浙江杭州310023;

浙江工业大学教育部机械制造与自动化重点实验室;

浙江杭州310014;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类智能材料;
关键词
脉冲激光沉积; Ge; 纳米薄膜; 微观结构; 生长机理;

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