VHF-PECVD法制备μc-SiGe薄膜的研究

敦亚琳; 张建军; 张丽平; 张鑫; 曹宇; 郝秋艳; 耿新华; 赵颖

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VHF-PECVD法制备μc-SiGe薄膜的研究

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分别以Si2H6和GeH4及SiH4和GeH4两种组合气体为源气体,用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备μc-SiGe薄膜,用Raman散射光谱和原子力显微镜(AFM)对薄膜的结构进行研究。结果表明:与SiH4和GeH4制备的薄膜系列相比,Si2H6和GeH4制备的薄膜中Ge的融入速率相对较慢;用Si2H6和GeH4制备的μc-SiGe薄膜,随着GeH4浓度的增加,薄膜结构始终保持一定的有序度;随着H2稀释率、辉光功率的增大,薄膜结构趋于有序。

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来源
《光电子．激光》 |2011年第3期|382-386|共5页
作者
敦亚琳; 张建军; 张丽平; 张鑫; 曹宇; 郝秋艳; 耿新华; 赵颖;
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作者单位

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;

光电信息技术科学教育部重点实验室;

光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;

天津300071;

河北工业大学信息功能材料研究所;

天津300130;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;
关键词
μc-SiGe薄膜; 甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD); Raman光谱; 原子力显微镜(AFM);

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