低压高温退火对Ag掺杂ZnO薄膜性质的影响

彭福川; 吕佩伟; 林林; 林丽梅; 瞿燕; 赖发春

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低压高温退火对Ag掺杂ZnO薄膜性质的影响

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采用电子束蒸发在n-Si(100)衬底上沉积Ag掺ZnO(ZnO:Ag)薄膜,随后在200 Pa的O2气氛下分别在500、600、700和800℃退火4 h。用X射线衍射(XRD)仪、荧光光谱仪以及Van der Pauw方法测量ZnO:Ag薄膜的结构和光电学性质。结果表明,ZnO:Ag薄膜为多晶结构,且随着退火温度的升高,样品的结晶性能不断提高,晶粒尺寸从500℃的12.37 nm增加到800℃的32.36 nm;光致发光(PL)谱的紫外发射峰随着退火温度的增加向短波方向移动;薄膜的载流子浓度随退火温度升高而单调增加,电阻率则降低;迁移率的变化较为复杂,500℃退火的样品迁移率达到最大值58.80 cm2/Vs,800℃样品的最低为3.16 cm2/Vs。

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来源
《光电子．激光》 |2011年第4期|545-549|共5页
作者
彭福川; 吕佩伟; 林林; 林丽梅; 瞿燕; 赖发春;
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作者单位

福建师范大学物理与光电信息科技学院;

福建福州350007;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
Ag掺ZnO(ZnO:Ag)薄膜; 电子束蒸发; 退火; 光致发光(PL);

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