n-i-p型非晶硅太阳电池中p/ITO界面特性研究

倪牮; 陈新亮; 曹丽冉; 张建军; 薛俊明; 孙建; 王先宝; 韩东港; 张德坤; 赵颖; 耿新华

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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备n-i-p型非晶硅(a-Si)太阳电池,采用反应热蒸发法制备ITO薄膜作为太阳电池的前电极。通过改变B2H6的掺杂浓度获得了不同晶化率的p层,详细研究了p层性能对p/ITO界面特性以及电池性能的影响。结果表明,在合适晶化率的p层上沉积ITO薄膜有利于优化p/ITO界面的接触特性,将其应用于n-i-p型a-Si太阳电池,能够显著改善电池的开路电压(Voc)和填充因子(FF),最终,在不锈钢(SS)衬底上获得了转换效率为6.57%的单结a-Si太阳电池。

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来源
《光电子．激光》 |2010年第1期|55-58|共4页
作者
倪牮; 陈新亮; 曹丽冉; 张建军; 薛俊明; 孙建; 王先宝; 韩东港; 张德坤; 赵颖; 耿新华;
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作者单位

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;

天津300071;

河北工业大学信息工程学院;

天津300130;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
n-i-p太阳电池; 不锈钢(SS)衬底; p/ITO界面;

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