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GaP表面粗化对AlGaInP发光二极管光电特性的影响

         
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采用湿法溶液粗化AlGaInP基红光LED表面GaP层,并在粗化后的GaP表面沉积ITO,研究了粗化时间对GaP表面形貌的影响,并利用SEM、半导体芯片测试机、X射线衍射仪、X射线光电子能谱对LED器件表面形貌、光电特性曲线、界面晶向、元素特性进行表征,比较了粗化前后的LED亮度和光电特性变化。测试结果表明:采用HIO4、I2、HNO3系列粗化液在室温、粗化时间为30S时,有效增加了光在通过GaP面与ITO界面时的出光角度,使AlGaInP发光二极管的发光效率提高21.4%,同时引起界面处的缺陷密度升高,费米能级远离价带,主波长蓝移0.36nm,正向电压上升0.04V。

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