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ZnCdSe—ZnSe／CaF2多量子阱中的三阶非线性

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我们首次利用Ｚ－扫描技术在室温下研究了ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ／ＣａＦ２多量子了进中的三阶非线性，得到非线性系数ｎ２为－４．４６×１０＾－８ｅｓｕ。其主要非线性机理归结为ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ／ＣａＦ２多量子阱中的带填充效应。

著录项

来源
《光电子．激光》 |1996年第4期|240-243|共4页
作者
马靖; 王淑梅;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类非线性光学（强光与物质的作用）;
关键词
非线性光学; 多量子阱; 三阶非线性;

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