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高速光导开关传输效率的研究

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本文报导了在用掺铬半绝缘砷化镓为材料的高速光导开关的制作中采用硅离子注入工艺。直流及瞬态响应特性的测试结果表明:金属电极与介质基片间的接触电阻大大减小,开关的传输效率明显提高,输出电脉冲幅度增加了一个数量级左右。

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来源
《光电子．激光》 |1992年第1期|12-1440|共4页
作者
王明华; 杨左娅;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
砷化镓; 光导开关; 传输效率; 掺杂;

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