聚吡咯衍生物的合成及其三阶非线性光学性能

张志刚; 吴洪才; 易文辉

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聚吡咯衍生物的合成及其三阶非线性光学性能

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以吡咯为原料,通过逐步分子设计合成了聚3 丁酰基吡咯(PBPY)和聚[(3 丁酰基吡咯 2,5 二)对二甲氨基苯甲烯](PBPDMABE)。通过氢核磁(1 H NMR)、傅里叶红外(FT IR)、和紫外可见(UV Vis)光谱对反应中间体和目标产物的结构进行了详细表征。对 PBPY和 PBPDMABE粉末进行了 I掺杂处理,采用四探针法对本征态和掺杂后的聚合物电导率进行了测量,测试结果表明,经过 I掺杂处理后PBPY和PBPDMABE具有较高的电导率,分别为1.3×10-1 S/cm和3.8×10-6 S/cm。根据光学禁带宽度与入射光子能量的关系,计算了PBPY和PBPDMABE薄膜的光学禁带宽度,分别为 2.06 eV和1.79 eV。利用后向简并四波混频(DFWM)技术测量了 2 种聚合物薄膜的三阶非线性极化率。结果表明,在波长为532 nm的激光作用下,PBPY和PBPDMABE的三阶非线性极化率分别为8.75×10-10 esu和4.65×10-8 esu。

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来源
《光电子．激光》 |2005年第3期|314-318|共5页
作者
张志刚; 吴洪才; 易文辉;
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作者单位

西安交通大学电信学院光电技术与太阳能研究所;

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正文语种 chi
中图分类高分子物理和高分子物理化学;
关键词
聚吡咯衍生物; 合成; 表征; 光学禁带宽度; 电导率; 三阶非线性极化率;

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