硅应力缓冲衬底上GaAs薄层转移探索

孙钟林; 耿卫东; 陆靖谷

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硅应力缓冲衬底上GaAs薄层转移探索

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本文研究晶格失配较大的 - 族化合物向 Si基底转移薄层的技术 ,为此制备了 Si/ Si O2 / Si结构的应力缓冲衬底。利用智能切割 (smart- cut)技术制备薄层 Ga As并以低温 Si O2 层过渡与应力缓冲衬底相键合 ,达到 Ga As向 Si基底的转移目的。并对结果进行了分析和讨论 ,认为该技术是可行的。同时特别强调了低温淀积 Si O2 层的完美性对最终转移的 Ga

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来源
《光电子．激光》 |2001年第12期|1244-1246|共3页
作者
孙钟林; 耿卫东; 陆靖谷;
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作者单位

南开大学光电子所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
砷化镓; 薄层转移; 薄膜; 硅应力;

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