纳米硅颗粒在多孔氧化铝中的光致荧光特性

车永莉; 曹小龙; 李清山

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纳米硅颗粒在多孔氧化铝中的光致荧光特性

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采用阳极氧化方法制备了多孔硅(PS),经过超声波充分粉碎PS层得到分散的Si纳米颗粒(n-Si),利用高速离心旋转方法将n-Si镶嵌到多孔氧化铝(Al2O3)模板中,得到n-Si/Al2O3复合体系。研究了PS、分散的n-Si和n-Si/Al2O3的荧光(PL)光谱性质,观察到n-Si极强的蓝紫光发射。结果表明,在Al2O3模板中的n-Si,比起PS和丙酮中的发光峰值波长向短波方向“蓝移”,而且半峰全宽(FWHM)也相对变窄。实验现象表明,量子限制效应(QCE)对样品的PL性质有重要作用,并用QCE对样品的发光“蓝移”现象进行了解释。

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来源
《光电子．激光》 |2006年第1期|94-97|共4页
作者
车永莉; 曹小龙; 李清山;
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作者单位

曲阜师范大学信息技术与传播学院;

曲阜师范大学计算机科学学院;

曲阜师范大学物理工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN383.2;
关键词
多孔硅(PS); 硅纳米颗粒(n-Si); 多孔氧化铝(Al2O3); 量子限制效应(QCE);

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