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平面光波回路用均匀折射率厚SiO2膜制备技术研究

摘要

通过优化多孔硅氧化工艺制备了高质量的均匀折射率厚SiO2薄膜,该方法具有高效、低成本的显著优点.通过高倍光学显微观察与棱镜耦合仪分析得到:多孔硅氧化形成的SiO2膜厚度达到13μm且厚度均匀;折射率为1.444 8;折射率不均匀度小于0.0‰.

著录项

  • 来源
    《光电子.激光》 |2004年第z1期|186-187|共2页
  • 作者单位

    中国科学院半导体研究所;

    光电子研究发展中心;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    光电子研究发展中心;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    光电子研究发展中心;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    光电子研究发展中心;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    光电子研究发展中心;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    光电子研究发展中心;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    光电子研究发展中心;

    北京;

    100083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 光电子技术、激光技术;
  • 关键词

    硅基二氧化硅; 阳极氧化; 光波导; 折射率;

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