高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计

王青; 曹玉莲; 何国荣; 韦欣; 渠红伟; 宋国峰; 陈良惠

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高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计

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利用模型固体理论、k.p理论和Pikus-Bir理论,研究了InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱,得出了较为简单通用的设计方法;进而研究了阱宽、InGaAs中In组分和GaAsP中P组分等参数对跃迁波长的影响。理论计算发现,与InGaAs/GaAs普通量子阱相比,InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱能提供更深的载流子阱和更大的增益。按照提出的理论设计方法,研制了含InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的垂直腔面发射激光器(VCSEL),理论计算和实验结果相吻合。

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来源
《光电子．激光》 |2008年第3期|304-307|共4页
作者
王青; 曹玉莲; 何国荣; 韦欣; 渠红伟; 宋国峰; 陈良惠;
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作者单位

中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
InGaAs/GaAsP; 应变补偿; 垂直腔面发射激光器(VCSEL);

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