PTCDA表面射频磁控溅射ITO薄膜的特性研究

孙硕; 胥超; 冯煜东; 肖剑; 张福甲

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PTCDA表面射频磁控溅射ITO薄膜的特性研究

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将氧化铟锡(ITO)溅射淀积在PTCDA/玻璃衬底表面,利用原子力显微镜(AFM)、四探针和紫外可见分光光度计分别测量薄膜的表面形貌、电阻率和透光率。结果表明衬底温度对ITO在PTCDA上的淀积有着与在其他衬底上淀积所不同的影响,提高衬底温度淀积ITO并没有提高薄膜的结晶度;溅射功率的提高有利于ITO电阻率的下降,但是功率过高会破坏ITO薄膜的特性ITO膜厚度的增加导致其电阻率减小。

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来源
《光电子．激光》 |2007年第5期|529-532|共4页
作者
孙硕; 胥超; 冯煜东; 肖剑; 张福甲;
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作者单位

兰州大学物理科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;薄膜的性质;
关键词
氧化铟锡(ITO); PTCDA; 电阻率; 透光率;

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