VHF—PECVD法制备微晶SiGe薄膜及太阳电池

谷士斌; 胡增鑫; 张建军; 孙建; 杨瑞霞

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VHF—PECVD法制备微晶SiGe薄膜及太阳电池

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以Si2H6和GeF4为源气体,用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术在不同衬底温度和功率条件下制备了SiGe薄膜材料。用喇曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)对材料的结构进行了研究。结果表明薄膜结构随温度的升高、功率的增大逐渐由非晶SiGe(a-SiGe)转变为微晶SiGe(μc-SiGe)材料。将这种材料应用于μc-SiGe薄膜太阳能电池中,电池结构为玻璃/SnO2/p-μc-Si/i-μc-SiGe/n-μc-Si/Al,首次获得效率η=4.2%的μc-SiGe薄膜太阳能电池,开路电压Voc=0.335V,短路电流密度Jsc=20.16mA/cm2,填充因子FF=41.938%。

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来源
《光电子．激光》 |2007年第5期|539-542|共4页
作者
谷士斌; 胡增鑫; 张建军; 孙建; 杨瑞霞;
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作者单位

河北工业大学信息学院;

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;

光电信息技术科学教育部重点实验室;

光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;

天津300071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;
关键词
微晶SiGe(μc-SiGe)薄膜; 太阳能电池; 甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD); 喇曼光谱;

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