940nm20占空比InGaAs/AlGaAs大功率LD线阵

赵卫青; 安振峰; 陈国鹰; 辛国锋; 牛健; 沈牧

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940nm20占空比InGaAs/AlGaAs大功率LD线阵

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采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术,制作了AlGaAs/InGaAs/GaAs大功率20%占空比半导体激光器。采用良好的封装方式,激光器直接封装在高效导热载体上,对载体水冷散热,在脉冲频率500Hz,脉冲宽度400μs下,驱动电流105A时输出功率高达90.6W,最高电光转换效率42.3%,斜率效率0.94W/A。器件中心激射波长941.8nm,光谱半高全宽3.3nm。

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来源
《光电子．激光》 |2004年第8期|914-916|共3页
作者
赵卫青; 安振峰; 陈国鹰; 辛国锋; 牛健; 沈牧;
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作者单位

河北工业大学信息学院微电子所;

电子科技集团公司第十三研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类激光器;材料;
关键词
线阵; 大功率; LD; 占空比; InGaAs/GaAs; 金属有机化合物气相淀积; 斜率效率; 水冷散热; 封装方式; 驱动电流;

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