PIN结构发光二极管反向击穿特性分析

李树强; 夏伟; 马德营; 张新; 徐现刚; 蒋民华

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PIN结构发光二极管反向击穿特性分析

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通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型,分析了该结构发光二极管(LED)反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性。通过利用LP-MOCVD技术生长了不同厚度多量子阱(MQW)有源区AlGaInP LED,测量了器件的反向击穿特征,测试结果与理论分析非常吻合。同时获得了AlGaInPMQW结构的临界反向击穿电场强度数值。这些结果可以作为具有PIN结构的LED性能优化的重要参考。

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来源
《光电子．激光》 |2006年第4期|506-508|共3页
作者
李树强; 夏伟; 马德营; 张新; 徐现刚; 蒋民华;
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作者单位

山东大学;

山东华光光电子有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN312.8;
关键词
发光二极管(LED); 反向击穿电压; 多量子阱(MQW); PIN结构;

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