新型湿法氧化对多孔硅发光强度的影响

蔡贝妮; 陈松岩; 曾明刚; 蔡加法

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新型湿法氧化对多孔硅发光强度的影响

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在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径。首次采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化,大大改善了多孔硅的发光强度,并研究了氧化电流密度、氧化温度、氧化时间等一系列因素对氧化多孔硅光致发光强度的影响。实验发现,在电流密度1mA/cm2,氧化液温度60℃,氧化时间为10min的条件下,可以获得最强光致发光;在此最优条件下得到的氧化样品较初始样品发光增强了18倍。

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来源
《光电子．激光》 |2004年第8期|951-954|共4页
作者
蔡贝妮; 陈松岩; 曾明刚; 蔡加法;
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作者单位

厦门大学物理与机电工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
氧化多孔硅; 发光强度; 光致发光; 氧化电流密度; HF; 增强; 阳极氧化; 水溶液; 条件; 发现;

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