发光二极管中负电容现象的实验研究

王军; 冯列峰; 朱传云; 丛红侠; 陈永; 王存达

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发光二极管中负电容现象的实验研究

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对各种发光二极管(LEDs)的负电容(NC)进行了研究。实验结果表明,所有的LEDs都展示了NC现象。电压调制发光(VMEL)实验确认,在发光有源区中注入载流子引起的强发光复合是产生NC现象的基本原因。测量还表明,不同的LEDs的NC随电压和频率的变化规律是类似的;测试频率越低,正向偏压越高,NC现象越明显。

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来源
《光电子．激光》 |2006年第1期|1-4|共4页
作者
王军; 冯列峰; 朱传云; 丛红侠; 陈永; 王存达;
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作者单位

天津大学应用物理学系;

佛山科学技术学院光电子与物理学系;

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正文语种 chi
中图分类 TN312.8;
关键词
发光二极管(LEDs); 正向交流(a.c.)特性; 负电容(NC); 电压调制发光(VMEL);

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