发光二极管中负电容现象的机理

冯列峰; 朱传云; 陈永; 曾志斌; 王存达

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发光二极管中负电容现象的机理

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为解释发光二极管(LEDs)中的负电容(NC)现象,提出了在有源区与局部强复合效应有关的新模型,首次通过对载流子连续性方程的求解导出了NC的解析表达式。理论结果表明,在一定的范围内激活区载流子复合速率越大,LEDs中的NC效应越显著,这与实验结果完全一致。它表明,LEDs中的NC是由其激活区载流子复合引起的,而非外部原因造成。

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来源
《光电子．激光》 |2006年第1期|5-8|共4页
作者
冯列峰; 朱传云; 陈永; 曾志斌; 王存达;
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作者单位

天津大学应用物理学系;

佛山科学技术学院光电子与物理学系;

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正文语种 chi
中图分类 TN312.8;
关键词
发光二极管(LEDs); 负电容(NC); 连续性方程;

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