高速率、低价位、智能化“3C”光网络呼唤Si基化、集成化SOC芯片

王启明

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高速率、低价位、智能化“3C”光网络呼唤Si基化、集成化SOC芯片

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Si是微电子发展的无可替代基质材料,取之不尽,工艺成熟,立足于Si基材料,发展光网络SOC芯片,是突破上述困扰的重要途径。然而Si属间接带隙,又为立方反演对称的非极性材料,不具优异的天然光学特性。人工改性是突破Si材料本征限制的根本出路,能带工程、纳米工程、局域化工程、光子工程以及声子工程的综合运用,有望实现Si基化全光波长变换器,高速率全光开关乃至Si基激光器,为Si基化、集成化光网络SOC芯片的发展奠定基础,并将开拓出一门崭新的Si基集成光子学。

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来源
《光电子．激光》 |2007年第3期|257-262|共6页
作者
王启明;
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作者单位

集成光电子国家重点联合实验室中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光电子技术的应用;集成光学器件;
关键词
硅基材料; 集成芯片; 人工改性; 能带工程; 局域化工程; 纳米工程;

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